深圳鼎盛合科技代理中微全系列芯片产品,可为客户提供软硬件方案设计开发,并提供免费取样服务
原标题:mos管测试好坏的方法,数字源表测试仪mos管作为金属氧化物半导体场效应晶体管或金属绝缘体半导体,由于道通压力低、道通电阻小、门驱动不需要电流、损耗小及价格廉宜等优势,受到广大电子行业的青睐和推崇。
随着电子行业的飞速发展,mos管的需求也不断攀升,导致一群mos管供应商如雨后春笋般涌现出现,替市场质量降低有关。因此,企业要想了解mos管的质量,就需要对mos管检测。
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mos管测试好坏的方法一、电阻测量法是判断mos管好坏的方法之一,通过观察mos管PN结和反向电阻值的不同现象,确定mos管的三个电极先将一台万用表的黑色表笔接在R1k文件上的两个电极上,再用另一记表笔分别接触Mos三个电极,测量正负电阻值,如果所有测量到的电阻值几乎是一致的,说明黑表笔接在的那个电极就是极,另外两个则分别为漏极和圆极。
二、另一种判断方式是信号传递法,通过改变泄漏源电压VDS和泄漏电流Ib来测量mos管的放大能力,观察时钟针的大幅度抖动,如果抖动剧烈,则表明管的放大能力强,反之如果时钟针不动,则表明管子坏了三、采用普赛斯数字源表,MOS管测试时一台加在栅极与源极之间,一台加在漏极与源极之间;需要使用两台直流源表同步触发使用,或使用插卡式直流源表;支持数据输出表格,操作极其方便,建议选择此测试方法。
四、最后,还可以使用感应信号法进行诊断,这需要先找到合适的测试点,然后完成具体的检测。返回搜狐,查看更多责任编辑:
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