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原标题：5G射频芯片中的半导体|慧智微论坛作者：彭（转自慧智微电子公众号）
最近在与手机终端客户交流过程中，发现客户对于射频前端芯片的理解已经越来越深入：从最早的只把射频芯片当成一个黑盒子，到对PA等模块架构特点熟悉，再到对放大原理深入了解，国内手机终端公司逐渐把射频芯片从“用得了”，到“用的好”。
在对射频芯片的工作原理了解清楚之后，一些手机终端公司逐渐向芯片的更深层次：半导体器件层级研究考虑研究深入的器件物理机理，对应用中看到的问题加以解释芯片之所以是芯片，就是因为半导体技术；芯片系统与板级系统最大的区别，也就是因为使用到了半导体物理器件。
半导体器件是芯片公司的根基所在，手机终端公司对于半导体器件的研究，让我们这些芯片公司的“硅农”们感受到同道相益，备受鼓舞不过我们也发现，即使对于芯片公司或芯片工程师来说，“半导体物理”都是一个让人望而生畏的词。
由于半导体物理太过晦涩难懂，很多的集成电路设计类专业甚至不再教授此课程；即使对于半导体专业的学生来说，学校里的“半导体物理”、“半导体器件”课程也常常成为学生时代的心理阴影，以至于工作之后再也不想谈及于是，我们就想梳理出一份材料，一起就射频芯片中常见的半导体器件做一个讨论。
—— 半导体工艺简介 ——什么是半导体在半导体被发现之前，人们认为世界上的材料根据导电性分类只可以被分为“导电”和“不导电（绝缘）”两种按分类方法中的“相互独立、完全穷尽”的原则看，这是对世界上材料非常完美的分类方法，那为什么还会出现“半导体”这一分类呢？。
一些文献中将“半导体”定义为“导电性能介于导体和绝缘体之间的材料”，准确来讲，半导体材料并不是导电的性能处于二者之中，而是导电特性可以在二者之间可控切换这种导电特性可以在导体与绝缘体之间可控切换的材料，被称为半导体材料。
半导体现象的首次被发现要追溯到近200年前的1833年，电子之父法拉第发现硫化银的电阻随温度变化特性不同于一般金属，温度可以实现对硫化银材料导电性的可控，这是人类首次观察到半导体现象在1833至1945年这100多年时间里，物理学家对这一现象进行了深入研究。
20世纪初的物理学革命为半导体科技奠定了坚实的理论基础，而材料生长技术为半导体科技奠定了实现中的物质基础掺杂：半导体材料的实现基础半导体导电可控特性的实现是通过“掺杂（Doping）”来实现以硅原子为例，每个硅原子最外层有4个电子，在本征硅材料中，每个硅原子与周围的4个硅原子形成共价结合的稳定结构，从而没有可自由流动的自由载流子，不能形成电流。
这时，如果对本征硅材料进行掺杂，如果加入最外层有5个电子的磷元素，这时在形成4个共价键之外，还会多出一个自由移动的电子，这个电子就是一个自由载流子，当加上电压之后，掺杂材料就可以导电自由移动的电子是半导体材料中的第一种载流子。
同理，如果掺杂材料为最外层只有3个电子的硼元素，这时会出现一个电子的空缺，电子在不断填满这个空缺的过程中，也可以使材料导电由于电子不断填充这个空缺的过程不易描述，人们就发明了一个新的表征空缺的方式，即定义一种新的载流子来表示这个空缺，这种新的载流子就是半导体中的第二种自由载流子：空穴。
半导体的掺杂工艺实现了对半导体内自由载流子的控制。
p-n结：简单的半导体器件
图：p-n结的基本结构利用半导体的掺杂特性，就可以设计出简单的半导体器件：p-n结p-n结英文名称是p-n Junction，因为有正负两个端口，所以又称为p-n结二极管p-n结是在同一衬底上同时进行p型和n型掺杂，并使之交界，这样在二者交界处就形成耗尽区（也叫空间电荷区），从而形成p-n结。
p-n结的一个重要特性就是单向导电特性当p型半导体侧加入正电压时，p型半导体中的空穴在外加电场作用下向右侧移动当外加电场大于p-n结的内建电场时，空穴就会跨越过耗尽区，从而进入n型半导体区，之后在电场作用下进入电源负极，形成电流。
当n型半导体侧加入正电压时，n型半导体中的自由载流子电子向右侧移动，拉大内建电场宽度，使自由载流子更难跨越耗尽区，无法形成电流。
图：正偏及反偏下的p-n结从“晶体管”开始，直到改变世界只是用p-n结二极管，还不足以设计集成电路在半导体物理的基本原理被人类掌握之后，人类就开始用半导体材料设计制造一些特殊器件比如：利用半导体导电性能与温度之间的关系，可以设计出热敏电阻，来感知温度变化；。
利用有些半导体导电性能与光照之间的关系，可以设计出光敏电阻，来感知光的变化；利用有些半导体光电转换特性，可以实现电能和光能的相互转化，设计出发光器件，或者设计出光伏发电器件；虽然利用半导体材料“导电性能可控”这一特性，可以在很多领域设计出重要应用的器件。
不过这个时期的半导体还是很难和之后改变世界的“集成电路”联系起来真正建立起“半导体材料”与“集成电路”之间联系的，是1945年被发明的“晶体管”早在1899年，人类就实现了无线电信号的跨英吉利海峡穿越但在晶体管被发明之前，电子电路系统一般由真空电子管设计。
真空电子管体积大、功耗大、发热厉害、寿命短，并且需要高压电源，所以真空电子管所设计的电路一般只用在政府、军事部门中真空管极大地限制了电路系统的大规模应用
图：20世纪初，RCA公司采用电子管设计的放大器为了克服真空电子管的局限性，第二次世界大战后，贝尔实验室加紧研究，探讨用半导体材料制作放大器件的可能性1945年秋天，贝尔实验室成立了以肖克莱为首的半导体研究小组，成员有布拉顿、巴丁等人。
他们发现，在锗片的底面接上电极，在另一面插上细针并通上电流，然后让另一根细针靠近及接触它，并通上微弱的电流，这样就会使原来的电流产生很大的变化微弱电流少量的变化会对另外的电流产生很大的影响，这就是 “放大” 作用。
利用这种特性，半导体器件也就可以被用于制作放大器在为这种器件命名时，布拉顿想到它的电阻变换特性，于是取名为Trans-resistor(转换电阻)，后来缩写为Transistor，中文译名就是晶体管1956年，肖克莱、巴丁、布拉顿三人，因发明半导体晶体管同时荣获诺贝尔物理学奖。
图：半导体晶体管的发明者，左起：布拉顿，肖克莱，巴丁在直观理解上，可以将晶体管理解成一个水龙头：晶体管一共有三个极，对于FET器件，一般称为源、漏、栅（S、D、G），对应水龙头的进水口、出水口、龙头把手；
晶体管源极（Source）流入电子，对应水龙头进水中流入水源；栅极（Gate）是晶体管的核心，控制电流的大小，对应于龙头把手是水龙头的核心，决定水流的强弱；
图：典型的晶体管构造（JFET），及与水龙头的等效基于以上原理，晶体管就可以实现信号的放大即在栅极加一个微小信号，只要能控制住晶体管漏极到源极这个通道的通断，就可以控制漏源之间电流的大小晶体管还可以实现数字电路里“0”、“1”基本信号的表征。
比如可以定义“水龙头”打开状态为“1”，关闭状态为“0”成千上万个“水龙头”放在一起，就可以进行数字逻辑运算晶体管（Transistor）是集成电路领域中最为重要的基本器件，没有之一有了这个基本器件，才有了现在改变世界的集成电路。
我们经常看到的FET、HBT、pHEMT等器件名称中的最后一个字母“T”，均是“Transistor”的缩写在半导体器件里，晶体管也有多种变形，材料也多种多样，一些缩写也让人眼花缭乱不过万变不离其宗，只要找到晶体管中水龙头的“进水口”和“出水口”，理解清楚“龙头把手”的工作原理，就可以将这种类型晶体管分析清楚。
晶体管的分类过去近100年，半导体晶体管的发展过程中，先驱科学家和工程师们不断尝试各种器件结构与器件材料，来满足不同领域集成电路特性的需求产生出各种各样的半导体器件半导体本来就抽象、难以捉摸，纷杂的名称和简称也使得半导体更加高深莫测，给非半导体出身的电子行业从业者带来不少的困扰。
晶体管的分类主要可以从两个方面下手理解，分别为器件结构，和器件材料。以下为常见的结构和材料类型。
晶体管的材料和结构互为独立，理论上可自由组合比如可以设计在硅基的BJT器件，也可以设计在砷化镓基的BJT器件对一个器件的准确描述，应该将材料与器件种类同时说明，比如对于5G手机射频PA中使用的HBT器件，准确名称应该是GaAs HBT器件。
不过由于大家平时工作中的约定俗成，叫法经常加以简化比如在手机射频领域，大家一般用HBT，或者GaAs来简称GaAs HBT；在电源控制领域，大家用SiC来简称SiC MOSFET，用GaN来简称GaN FET类器件。
这种简称在某个细分行业领域是有效的，但在跨出本行业交流时可能会引起误解，必要时需要加以注意—— 以结构分类半导体 ——从结构上区分，半导体器件主要分为BJT和FET两种类型BJT的全称是是Bipolar Junction Transistor，双极型晶体管。
FET的全称是Field Effect Transistor，场效应晶体管二者都可以实现晶体管的放大特性BJT器件基本结构BJT器件由两个背靠背的p-n结构成由于用于电流传输的p-n结包含电子与空穴两种载流子，所以BJT器件取名为“Bipolar（双向/双极）”Junction Transistor。
虽然BJT由两个p-n结构成，但不是任意两个背靠背的p-n结二极管都可以构成BJTBJT器件对于各区的掺杂浓度以及厚度有着精确的要求BJT器件中发射极需要重掺杂，基极需要较重掺杂，并且宽度极薄，以使大量的电子与空穴可以穿越。
图：BJT器件的基本结构（npn管为例）BJT器件制备在集成电路制备中，BJT器件先通过在n型外延中形成p型扩散，形成基极；再进行n型扩散，形成发射极，从而实现紧邻的两个p-n结通过图中可以看到，在BJT器件中，电流在垂直方向进行流动，所以集成电路中的BJT器件是垂直器件。
图：BJT器件截面和简化模型HBT：一种特殊的BJT器件HBT的全称是Hetero Junction Bipolar Transistor，中文名为异质结双极型晶体管HBT是一种特殊的BJT器件HBT对普通BJT的改进是在发射极和基极之间采用不同的半导体材料，形成异质p-n结，来抵挡住基极载流子向发射极的注入，这样就可以使发射极中更多的载流子流入集电区，从而提高集电极到发射极之间的电流。
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外围观察到的现象是基极的电流变小了，集电极电流变大了，基极电流对集电极电流有了更强的控制能力常见的HBT器件有GaAs HBT器件、SiGe HBT器件。下图为典型的GaAs HBT器件横截面图。
图：GaAs HBT器件截面和简化模型AlGaAs/GaAs是研究最广泛，应用最广泛的异质结系统5G射频PA中所使用的GaAs HBT，就是此种类型的异质结HBT在AlGaAs/GaAs异质结HBT中，基极p+ GaAs层与发射极n+ GaAs中间，注入了n型Al0.3Ga0.7As发射区薄膜，从而形成了基极与发射极之间的异质p-n结。
外延层：HBT器件的关键材料在HBT器件的结构中，可以看到HBT器件截面由外延层、衬底两部分构成在集成电路中，晶圆制备包含衬底制备和外延工艺两大环节衬底（Substrate）是由半导体单晶材料制造的晶圆原片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以进入外延工艺，生长完外延层后，再进行半导体器件制造。
外延（Epitaxy，简称Epi）是指在单晶衬底上生长一层新单晶的过程，由于是在衬底上延伸生长，所以被称为“外延”外延层一般只有几微米厚，外延出来的新单晶可以和衬底是同一材料，也可以是不同材料外延工艺解决了器件只能使用一种衬底材料的问题。
使器件不同区域使用不同材料成为可能，极大地增加了器件设计的灵活性对于HBT器件，由于需要设计AlGaAs/GaAs的异质半导体p-n结，就需要使用外延层工艺将不同材料及掺杂的半导体材料层设计出来通过不同外延层的设计，还可以对HBT器件的特性进行调整。
HBT器件的性能依赖于器件中发射极、基极以及集电极的厚度及掺杂浓度曲线，这些数据都是在外延层的设计中进行调整在HBT生产产业链运行中，一般由衬底厂商生产出GaAs衬底，再交由外延厂商生长外延层，最后交由代工厂生产出HBT器件。
由于外延层材料中半导体器件的材料参数已确定，所以外延层的生长是HBT器件生产的关键步骤图：GaAs HBT器件产业链流程FET器件FET器件的全称是Filed Effect Transistor，中文名是场效应晶体管。
晶体管名称前面的Filed Effect（场效应）指的是用电场（Electric Filed）来控制半导体内电流流动的器件FET的思路非常简单直接，在一个经过掺杂的半导体材料（如n型）两边，加上另一种掺杂的半导体材料（p型），通过控制p型掺杂上的电压，就可以控制n型沟道的夹断或者导通，就达到了控制电流的目的。
FET的工作原理，更加像水龙头了在FET器件中，由于参与导电的只有一种载流子（如n型沟道FET器件中的电子），这与BJT器件有电子与空穴均参与导电有很大的不同所以最早的FET器件又叫Unipolar Transistor（单极晶体管），以强调这种单一载流子导电特性。
在n沟道FET器件中，有三个极，分别是提供电子的源极（Source，S极），流出电子的漏极（Drain，D极），以及控制沟道的栅极（Gate，G极）图：FET器件的原理示意相比于BJT器件复杂的p-n结运行理论，FET器件的概念简单直接，“沟道”和“夹断”，非常符合人们的直觉，所以FET的理念在BJT商用之前就被提出来。
在1926年J. E. Lilenfeld申报的专利文件中，最早提出了FET的理念[1]比1947年贝尔实验室的肖克利团队发明BJT器件还要早21年但由于当时工艺所限，FET器件只存在了前期科学家们脑中的概念之中。
一直到1953年，得益于工艺进步，FET器件才被真正生产出来第一个被生产出来的FET器件是JFET（Junction FET）器件JFETJFET是首个被正式生产出来的FET器件因为名称中有“Junction，结“，所以JFET的工作中也利用到了p-n结特性。
图：JFET的构造及工作原理JFET由肖克利团队于1952年首次提出并加以分析在JFET中，所加的栅电压改变了p-n结耗尽层宽度，进而改变了源、漏极之间的电导经过多年工艺进步，JFET的结构也有了变化，下图为现代的JFET结构，虽然在物理外观与最早的JFET有些不同，但仍然是利用电场控制栅极p-n结，等效于最早的肖克利结构。
图：现代的外延层JFET器件结构MESFETMESFET的是Metal-Semiconductor FET的缩写，中文名是金属-半导体接触场效应晶体管MESFET是利用金属与半导体接触的特性开发的晶体管。
JFET与MESFET的结构比较如下图：JFET与MESFET的结构对比MESFET的工作原理与JFET类似，唯一不同点是用于控制沟道夹断与否的并不再是p-n结，而是金属-半导体结（简称金-半结）金属-半导体接触是在半导体理论研究中非常重要的研究，在许多半导体器件中都有广泛的应用。
金属-半导体接触最早始于1874年半导体物理理论的建立时期，1938年，Schottky（肖特基）完成了金属-半导体势垒理论，完成了理论体系于是，形成肖特基势垒的金属-半导体接触又叫肖特基接触，由此开发的二极管叫肖特基二极管。
除了肖特基接触外，金属与重掺杂的半导体接触还可以形成欧姆接触，这是所有半导体器件流入和流出所必须的商用产品中被广泛使用的MESFET器件是GaAs基MESFET，得益于GaAs的电子输运特性，GaAs MESFET有良好的射频性能，是现在单片微波集成电路（MMIC）的核心。
HEMT及pHEMTHEMT的全称是High Electron Mobility Transistor（高电子迁移率晶体管）HEMT最早由日本Fujitsu公司于1979年发明HEMT器件的想法是，利用不同半导体材料异质结的特性，在接合面上聚集大量的电子，形成一种名叫“二维电子气（2DEG）”的高移动层，达到更好的器件性能。
HEMT器件在高频毫米波领域、低噪声领域有着不可替代的应用因为利用到了异质结，所以HEMT又被称为异质结FET （Heterostructure FET，HFET）下图为HEMT器件的典型架构图：HEMT器件的典型结构。
通常情况下，异质结接触表面会存在晶格失配，这个失配会影响到器件性能，也影响到更大带隙电压材料的选取于是就有了一种改进型的HEMT器件：pHEMTpHEMT器件的全称是Pseudomorphic HEMT。
Psedomorphic的意思是假的、赝配的，pHEMT器件在异质结转换时加入薄的“赝晶层”，用于将两边的晶格拉向匹配图：HEMT与pHEMT器件结构示意图由于出色的射频性能，pHEMT器件在高性能射频微波领域应用广泛。
尤其是GaAs pHEMT器件，是微波低噪声放大器、微波毫米波电路的重要半导体工艺与HBT器件相同，HEMT及pHEMT器件的特性强烈依赖于材料特性，在HEMT/pHEMT产业链中，同样需要外延层厂商生产出相应的材料外延，再由代工厂进行器件加工。
MOSFETMOSFET结构毫无疑问是当今集成电路领域最为核心的结构MOSFET缩写自Metal-Oxide-Semiconductor FET（金属-氧化物-半导体 FET），MOSFET是MIS（Metal-Insulator-Semiconductor，金属-绝缘层-半导体）器件的一种特殊结构。
下图为典型MOS结构，以及MOSFET的示意图图：MOS结构及MOSFET器件结构在MOSFET之前，已经有了平面结构的MESFET器件与垂直结构的BJT器件，但这两种电路都无法适应于大规模电路的设计：
垂直结构的BJT器件无法做到有效集成；BJT器件的工作机理使得器件无法有效关断或打开；Base端的电流也使BJT器件有较大的工作电流MESFET虽然是平面器件，解决了集成的问题，但MESFET器件所使用的金属-半导体结会钳位住过大Gate电压， 造成Vg只能在一定范围内使用
于是，MOSFET器件被发明了出来现代MOSFET器件的提出在1960年，Ligenza等人提出了基于Si-SiO2结构的MOSFET器件，改变了MESFET的一系列缺点，适合大规模集成，适合尺寸等比例缩小。
自此，半导体器件再也不是一个个单独的晶体管，大规模集成电路的序幕就此拉开基于MOSFET器件的半导体结构多种多样，主要有CMOS、SOI、Fin-FET等CMOSCMOS电路的发明，使集成电路进入到了“等比缩小”的快车道，是人类集成电路史上的一大飞跃。
CMOS的全称是Complementary metal–oxide–semiconductor（互补型MOS），“互补”的意思是电路中不止由nMOS，还有pMOS两种MOS器件结合进行设计，就可以完美完成数字集成电路中的逻辑电路设计。
虽然也可以用BJT器件设计类似TTL（Transistor-Transistor Logic），但CMOS逻辑的优点在于静态功耗低如下图简单反向器为例，在同一时刻，通路中的nMOS与pMOS只有一个器件导通，理论电路静态功耗为0。
图：CMOS反向器工作原理说明CMOS器件在1963年于仙童公司被发明出来[3]，随后被应用于存储、处理器等数字电路设计中图：CMOS器件的基本结构CMOS器件被发明之后，人们发现这项技术与数字电路技术相得益彰、珠联璧合。
数字电路需要的是小尺寸、低功耗的基本逻辑单元，而CMOS器件刚好可以满足这个需求于是，人类不断改进半导体工艺，使CMOS器件尺寸不断缩小，以使数字电路的能力越来越强大1965年，仙童公司的Gordon Moore（戈登·摩尔）在Electronic Magazine杂志中发表了一篇简短的文章，预测1965年到1975年期间：集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过18个月到24个月便会增加一倍。
换言之，处理器的性能大约每两年翻一倍，同时价格下降为之前的一半[4]让摩尔有信以做出这种预测的，正是因为对CMOS技术的期待图：戈登·摩尔在1965年提出的“摩尔定律“不过，让戈登·摩尔没想到的是，摩尔定律有效性绝不是在他预期的1965-1975年的10年之内，而是支撑整个集成电路行业发展了近60年。
在这60年里，处理器上的晶体管数目从几百个增加到了几十亿甚至几百亿个，CMOS器件特征尺寸由几毫米缩小到了几纳米在高通发布的8系列智能手机平台芯片里，采用4nm工艺，集成了近200亿个晶体管小小的集成电路，有了无与伦比的强大功能。
图：高通骁龙8系列手机平台芯片，采用TSMC 4nm工艺设计SOISOI的全称是Silicon on Insulator，绝缘体上硅是指在带有绝缘层的硅衬底上生产半导体器件的技术SOI技术可以减小衬底损耗对器件的影响，因此有较好的器件特性。
SOI技术生产的半导体器件如下图所示图：SOI器件基本结构Fin-FETFin-FET中文名称是鳍式场效应晶体管，根据其形状像鱼鳍来命名是在摩尔定律的推动下，为使器件尺寸不断减小，所发明的一种器件结构在Fin-FET发明之前，随着摩尔定律使器件尺寸不断减小，原来平面结构的栅极已经没办法控制住器件的沟道，器件漏电流明显。
于是，加州大学伯克利分校的胡正明教授于1999年提出Fin-FET结构，这种结构将栅极由平面结构升级成鱼鳍状的三维结构，于是形成了更好的对沟道的控制图：从平面CMOS FET，至Fin-FET目前，TSMC、Intel、三星等均采用Fin-FET进行先进CMOS工艺的设计。
—— 以材料分类半导体 ——除了根据器件的不同分类，半导体还可以根据材料的不同来分类半导体材料种类非常多，用于制作半导体的材料不仅有我们熟悉的硅材料，还有锗另外，一些化合物材料如GaAs、GaN、SiC等，也都是常见的半导体材料。
下表列出了在元素周期表中处于II-VI族的部分元素，这些元素或者这些元素的集合可以构成典型的半导体材料图：用于半导体的常见材料元素由以上元素构成的常见半导体材料有：需要说明的是，用于半导体的材料很多，甚至在一个半导体器件中，就会有不同的半导体材料。
在对一个器件命名时，一般以构成该半导体器件重要部分（如沟道）的材料对其命名比如对于下图GaN HEMT器件，虽然器件可以生长在Si或者SiC衬底上，但是器件的沟道是由GaN，以及GaN和AlGaN的异质结构成，所以器件称为GaN HEMT器件，或者AlGaN/GaN HEMT器件。
图：GaN/SiC/Si基GaN HEMT器件示意图材料与结构的结合如文章开头所述，材料与器件结构结合，才可以对器件进行准确描述完整的器件名称应为“材料+器件结构”理论上，不同材料和器件结构之间可以任意两两结合。
不过，由于材料特性和特殊需求的关系，并不是所有材料上都可以生长出任意类型的器件在使用中，主要的材料与结构结合器件如下图：不同材料和结构的半导体器件—— 5G射频中的半导体器件——在射频前端芯片设计中，也需要用到多种半导体工艺。
射频前端各模块常用的半导体工艺及工艺特点总结如下：—— 总 结 ——66年前，世界上第一个半导体晶体管在贝尔实验室诞生，此后，随着半导体工艺发展、集成电路的发明，小小的半导体器件改造了人类生活的方方面面。
射频技术也深受半导体技术的影响无论是手机终端中所使用的模组芯片，还是基站中所使用的半导体单管，半导体器件作为核心元器件，成为当今射频技术的基础不过半导体技术抽象、半导体器件纷杂，很多时候没有办法直接和日常使用结合起来，这给大家平时的工作造成非常多的困扰。
本文将射频各模块中常见到的半导体器件类型做了整理，希望可以在需要的时候给大家工作带来帮助本文整理过程中，得到众多专家的指导，在此表示感谢！欢迎大家留言，一起讨论“射频芯片中的半导体”[1].Lilienfeld, J.E. "Method and apparatus for controlling electric current" US Patent no. 1,745,175 (filed: 8 October 1926 ; issued: 28 January 1930).。
[2].Ligenza J R, Spitzer W G. The mechanisms for silicon oxidation in steam and oxygen[J]. Journal of Physics and Chemistry of Solids, 1960,14:131-136.
[3]."1963: Complementary MOS Circuit Configuration is Invented". Computer History Museum. Retrieved 6 July 2019.
[4].Moore, Gordon E. (1965-04-19). "Cramming more components onto integrated circuits" (PDF). intel.com. Electronics Magazine. Retrieved April 1, 2020.
[5].S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices.欢迎留言讨论，我们将为提供精彩讨论的伙伴们赠送著名半导体物理学家施敏教授所撰写的《半导体器件物理》一书图片来源于网络
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