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前言英诺赛科宣布推出SolidGaN系列100V半桥氮化镓功率芯片新品ISG3201内部集成2颗100V/3.2mΩ增强型氮化镓和1颗100V半桥驱动，采用5mmx6.5mmx1.08mm LGA封装，支持独立的高低边PWM信号输代理芯海入，可与绝大多数控制器匹配。
是48V功率系统，48V无刷电机驱动器，48V轻混汽车的理想选择，如高性能大功率电源转换、电动工具、伺服电机、太阳能逆变器、双向逆变器和D类功放等应用英诺赛科ISG3201
英诺赛科 ISG3201 是一颗 100V 耐压的半代理芯海桥氮化镓功率芯片，芯片内部封装两颗耐压 100V，导阻 3.2mΩ 的增强型氮化镓开关管以及 100V 半桥驱动器内部集成的驱动器省去了外部钳位电路，能够显著降低关联的寄生参数。
半桥氮化镓器件具备60A连续电流能力，无反向恢复电荷，并具有极低的导通电阻ISG3201 外围元件非常精代理芯海简，芯片内部集成了驱动电阻、自举电容和供电滤波电容英诺赛科在这款芯片上采用固化驱动形式，减少栅极和功率回路寄生电感，并简化功率路径设计。
该芯片还具有独立的高侧和低侧 PWM 信号输入，并支持 TTL 电平驱动，可由专用控制器或通用 MCU 进行驱动控制
英诺赛科 I代理芯海SG3201 焊盘特写通过显微拍摄可清晰看到 ISG3201 的焊盘依次为 SW，PGND 和 VIN，独特的焊盘设计缩小了功率路径的环路面积，同时增大了散热面积，有效降低器件运行时的温升相比传统分立的驱动器+氮化镓解决方案，电路设计更加简化，PCB尺寸更小巧，可设计单面布板，寄生参数更小，系统性能代理芯海更优。
在应用方面，英诺赛科 ISG3201 半桥氮化镓功率芯片适用于高频高功率密度降压转换器，半桥和全桥转换器，D类功放，LLC 转换器和功率模组应用，可用于 AI，服务器，通信，数据中心等应用场景48V 工作电压也满足 USB PD 3.1 快充以及户外电源相关应用，通过集成的代理芯海半桥器件，简化功率组件的开发设计。
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此前，英诺赛科推出适用于快充的All GaN PD3.1解决方案，使用了中、低压氮化镓单管取代传统的硅MOS，大幅度降低电阻，减小驱动损耗，并进代理芯海一步缩小封装面积，大大提升了氮化镓快充开关频率，提高转换效率和功率密度，为大功率氮化镓快充提供体积更小巧，更高效的设计参考。
充电头网总结半桥氮化镓功率芯片通过将氮化镓开关管和驱动器集成，具有更小的封装面积，更强的散热性能和更高的功率密度，能够满足48V大功率系统的应用，如高性能计算机，服务器，太阳能代理芯海逆变器，电机驱动，数字音频以及电动汽车应用。
ISG3201 简化了低压氮化镓器件在48V以及更低电压系统中的应用，可以便捷搭配多种控制器，实现不同功能，提升效率2023年英诺赛科还将相继推出Solid GaN 系列的更多低压氮化镓功率芯片，以满足更多市场应用需求。
英诺赛科是全球领先的氮化镓芯片研发与代理芯海制造的IDM企业，拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆厂和先进的氮化镓制程工艺目前英诺赛科已经发布和销售多款氮化镓功率器件，覆盖30V到700V电压范围，产品的各项性能指标均达到国际先进水平，已经在快充、通信、LED、人工智能、自动驾驶、数据中心、储能等多个新兴领域中得到应用。
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