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从制程节点看，全球MCU制造目前主要是40nm及以上的成熟制程工艺节点，先进车用MCU已采用28nm制程目前MCU主要集中于40nm及以上的成熟制程，一方面系MCU本身对算力要求有限，暂不需要40nm及以下制程；另一方面，MCU内置的嵌入式存储自身制程也限制MCU制程的提升。
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存储模块的解决方案• eFlash工艺（嵌入式闪存）：是MCU中必不可少的组成部分，用来存储代码和使用过程中产生的 数据，当前制造MCU能达到的制程节点很大一部分原因是受限于eFlash制代理芯海程工艺• eNVM工艺（嵌入式存储器）：是在逻辑工艺平台基础上开发的特殊工艺，通过这种工艺生产出带 有非挥发存储器模块的芯片。
对于不同的eNVM工艺，需要增加不同层数的光罩，因此它的工艺成 本相比于逻辑工艺有一定增加• SiP解决方案（片外存储器）：通过SiP方式把一颗NOR闪代理芯海存芯片和逻辑芯片封装在一起，代码和数 据存储在独立、外挂的NOR闪存芯片上。
解决方案优势探讨目前，全球多数MCU厂商主要使用 eNVM方案 但SiP解决方案因为其设计简单，设计周期短，从 而能降低厂商设计成本，加快上市速度，因此对于新进入的公司很有吸引力但SiP解决方案无法满足特代理芯海定应用场景的所有要求，综合考虑到成本、 功耗、速度安全性、稳定性和可靠性要求，很多 应用场景下，使用eNVM是更好的解决方案。
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