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STM32F030F4P6，ST/意法半导体，基于值线ARM的32位MCUSTM32F030F4P6，ST/意法半导体，基于值线ARM的32位MCU，具有16至64-KB的闪存、定时器、， ADC，通信接口，2.4-3.6 V操作
S代理芯海TM32F030F4P6，V 18664341585 ST/意法半导体，基于值线ARM的32位MCU，具有16至64-KB的闪存、定时器、， ADC，通信接口，2.4-3.6 V操作
描述STM32F030F4P6 微控制器包含高性能ARM Cortex™-M0 32-位RIS代理芯海C核心，工作频率为48 MHz，高速嵌入式存储器（最高可达64 KB的闪存和高达8 KB的SRAM），以及广泛的
增强型外围设备和I/O所有设备都提供标准通信接口（最高可达两个I2C、最多两个SPI和最多两个USART）、一个12位ADC、最多6个通用16位定时器和高级控制PW代理芯海M定时器STM32F030x微控制器在-40至+85°C的温度范围内工作，从。
2.4至3.6 V电源一套全面的节能模式允许设计低功耗应用STM32F030F4P6微控制器包括四种不同封装的设备，范围从20引脚至64引脚根据所选设备的不同，可以使用不同的外围设备包括以下描述概述了建议代理芯海使用STM32F030F4P6外围设备。
这些功能使STM32F030F4P6微控制器适用于各种应用程序，如应用程序控制和用户界面、手持设备、A/V接收器和数字电视、PC外围设备、游戏平台、电动自行车、消费电器、，打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和HVAC。
ARM®CortexTM-M0内核，带嵌入式闪存和SRAMARM皮质™-M0处理器是最新一代嵌入式ARM处理器系统它的开发旨在提供一个低成本的平台，以满足MCU的需求实现，减少引脚数量和低功耗，同时提供。
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出色的计算性能和对中断的高级系统响应ARM皮质™-M0 32位RISC处理器具有卓越的代码效率，以通常的内存大小提供ARM内核所期望的高性能与8位和16位设备相关STM32F0xx系列具有嵌入式ARM内核，因此与所有。
ARM工具和软件图1显示了设备系列的一般框图3代理芯海.2记忆该设备具有以下功能： 以CPU时钟速度访问（读/写）最多8 KB的嵌入式SRAM，0等待状态，并具有嵌入式奇偶校验功能，可为故障关键型生成异常应用。
非易失性存储器分为两个阵列：–用于程序和数据的16至64 KB嵌入式闪存–选项字节选项字节用于写入保护内存（粒度为4 KB）和/或读出使用代理芯海以下选项保护整个存储器：–0级：无读出保护–1级：内存读出保护，无法从或读取闪存
如果连接了调试功能或选择了在RAM中引导，则写入–第2级：芯片读出保护、调试功能（Cortex-M0串行线）和引导在RAM中选择被禁用3.3引导模式启动时，引导引脚和引导选择器选项位用于从三个引导中选择一个
选项： 从用代理芯海户闪存启动 从系统内存启动 从嵌入式SRAM启动引导加载程序位于系统内存中它用于通过重新编程闪存在引脚PA14/PA15或PA9/PA10上使用USART循环冗余校验计算单元（CRC）。
CRC（循环冗余校验）计算单元用于从32位数据字和CRC-32（以太网）多项式在其他应用中，基于CRC的技术用代理芯海于验证数据传输或存储完整性在EN/IEC 60335-1标准的范围内，它们提供了一种方法验证闪存的完整性。
CRC计算单元帮助计算运行时的软件，与链接时生成的参考签名进行比较并存储在给定的存储位置3.5电源管理3.5.1供电方案 VDD=2.4至3.6 V：用于I/O和内部调节器的外部电源假如外部通代理芯海过VDD引脚。
VDDA=2.4至3.6 V：用于ADC、复位块、RC和锁相环VDDA电压电平必须始终大于或等于VDD电压电平并且必须首先提供有关如何连接电源引脚的更多详细信息，请参阅图10：电源方案3.5.2电源监督员。
该设备具有集成的上电复位（POR）和断电复位（PDR）电路它们始终处于活动状代理芯海态，并确保在2V的阈值以上正常工作设备当所监测的电源电压低于指定阈值时保持在复位模式，VPOR/PDR，无需外部复位电路 POR仅监测VDD电源电压。
在启动阶段需要VDDA应该首先到达并且大于或等于VDD PDR监测VDD和VDDA电源电压，但VDDA电源电源监控器可以被禁用（通过编程一个专用的代理芯海选项位），以减少如果应用程序设计确保VDDA高于或等于VDD。
3.5.3电压调节器调节器有三种工作模式：主（MR）、低功率（LPR）和断电 MR用于正常操作模式（运行） LPR可用于功率需求减少的停止模式 电源关闭用于待机模式：调节器输出处于高阻抗：内核电路断电，导致零消耗（但。
寄存器和SRA代理芯海M丢失）此调节器在复位后始终启用。它在待机模式下被禁用，提供高阻抗输出。
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