1)
Acetone 丙酮丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3
性质：无色，具剌激性薄荷臭味的液体用途：在FAB
内的用途，主要在于黄光室内正光阻的清洗、擦拭毒性：对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤粘膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量的丙酮蒸气会刺激鼻、眼结膜、咽喉粘膜、甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。允许浓度：1000ppm
2)
Active Area 主动区域MOS
核心区域，即源，汲，闸极区域3)
AEI蚀刻后检查（1
） AEI
即After Etching Inspection
，在蚀刻制程光阻去除前和光阻去除后，分别对产品实施主检或抽样检查。（2
） AEI
的目的有四： 提高产品良率，避免不良品外流。 达到品质的一致性和制程的重复性。 显示制程能力的指标。 防止异常扩大，节省成本（3
） 通常AEI
检查出来的不良品，非必要时很少做修改。因为除去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加。生产成本增高，以及良率降低的缺点。4）
Al-Cu-Si 铝硅铜金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为Target
，其成份为0.5%
铜，1%
硅及98.5%
铝，一般制程通常是使用99%
铝 1%
硅．后来为了金属电荷迁移现象(Electromigration)
故渗加0.5%
铜降低金属电荷迁移5）
Alkaline Ions 碱金属雕子如Na+
，K+
，破坏氧化层完整性，增加漏电密度，减小少子寿命，引起移动电荷，影响器件稳定性。其主要来源是：炉管的石英材料，制程气体及光阻等不纯物。6）
Alloy 合金半导体制程在蚀刻出金属连线后，必须加强Al
与SiO2
间interface
的紧密度，故进行Alloy
步骤，以450℃
作用30min
，增加Al
与Si
的紧密程度，防止Al
层的剥落及减少欧姆接触的电阻值，使RC
的值尽量减少。7）
Aluminum 铝一种金属元素，质地坚韧而轻，有延展性，容易导电。普遍用于半导体器件间的金属连线，但因其易引起spike
及Electromigration
，故实际中会在其中加入适量的Cu
或Si
8）
Anneal 回火又称退火：也叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火。a)
激活杂质：使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置，以便具有电活性，产生自由载流子，起到杂质的作用。b)
消除损伤：离子植入后回火是为了修复因高能加速的离子直接打入芯片而产生的损毁区（进入底材中的离子行进中将硅原子撞离原来的晶格位置，致使晶体的特性改变）。而这种损毁区，经过回火的热处理后即可复原。这种热处理的回火功能可利用其温度、时间差异来控制全部或局部的活化植入离子的功能c)
氧化制程中的回火主要是为了降低界面态电荷，降低SiO2
的晶格结构退火方式：Ø
炉退火Ø
快速退火：脉冲激光法、扫描电子束、连续波激光、非相干宽带频光源(
如卤光灯、电弧灯、石墨加热器、红外设备等)
9）
Angstrom 埃(Å)是一个长度单位，1Å=10-10
米,
其大小为1
公尺的佰亿分之一，约人的头发宽度的伍拾万分之一。此单位常用于IC
制程上，表示膜层(
如SiO2
，POLY
，SIN‥)
厚度时用10）
Argon 氩气11）
Arc Chamber 弧光反应室弧光反应室,
事实上就是一个直流式的电浆产生器。因为所操作的电流－对－电压的区域是在弧光电浆内。12）
APM( Ammonia , hydrogen-Peroxide Mixing )又称 SC-1 ( Standard Cleaning solution - 1 )
主要化学试剂是NH4OH/H2O2/D.I .water,
常用比率为1
：1
：6
。能有效去处除无机颗粒，有机沉淀及若干金属玷污，去除颗粒能力随NH4OH
增加而增加。13）
Backing Pump 辅抽泵在高真空系统中，要想很快建立我们所需的高真空，单纯靠高真空泵是不行的（因高真空泵启动时系统必须已经在低真空条件下），所以我们在系统中加入一个辅抽泵（如油泵）,
先对系统建立初真空，再由高真空泵对系统建立高真空。14）
Bake, Soft bake, Hard bake烘培、软烤、预烤烘烤（Bake
）:
在集成电路芯片的制造过程中，将芯片置于稍高温 (60ºC~250ºC)
的烘箱或热板上均可谓之烘烤。随其目的不同，可区分为软烤(Soft bake)
与预烤(Hard bake)
。软烤(Soft bake) :
其使用时机是在上完光阻后，主要目的是为了将光阻中的溶剂蒸发去除，并且可增加光阻与芯片的附着力。预烤(Hard bake):
又称为蚀刻前烘烤(pre-etch bake)
，主要目的为去除水气，增加光阻附着性，尤其在湿蚀刻(wet etching)
更为重要，预烤不完全常会造成过蚀刻。15）
Barrier Layer 阻障层为了防止铝合金与硅的的接触界面发生尖峰（spiking
）现象，并降低彼此的接触电阻，在铝合金与硅之间加入一层称为阻障层的导体材料，常见的有Ti/TiN
及TiW
。16）
BB ：Bird's Beak 鸟嘴在用Si3N4
作为掩膜制作field oxide
时，在Si3N4
覆盖区的边缘，由于氧或水气会透过Pad Oxide Layer
扩散至Si-Substrate
表面而形成SiO2
，因此Si3N4
边缘向内会产生一个鸟嘴状的氧化层，即所谓的Bird's Beak
。其大小与坡度可由改变Si3N4
与Pad Oxide
的厚度比及Field Oxidation
的温度与厚度来控制17）
Boat 晶舟Boat
原意是单木舟。在半导体IC
制造过程中，常需要用一种工具作芯片传送及加工，这种承载芯片的工具，我们称之为Boat
。一般Boat
有两种材质，一是石英（Quartz
），另一碳化硅（SiC
）。SiC Boat
用在温度较高(Drive in)
及LPSiN
的场合。18）
BOE(Buffer Oxide Etching)B. O. E.
是HF
与NH4F
依不同比例混合而成。6:1 BOE
蚀刻即表示HF: NH4F =l:6
的成份混合而成。HF
为主要的蚀刻液，NH4F
则做为缓冲剂使用。利用NH4F
固定[H']
的浓度，使之保持一定的蚀刻率。 HF
会侵蚀玻璃及任何硅石的物质，对皮肤有强烈的腐蚀性，不小心被溅到，应用大量冲洗。19）
Boundary Layer 边界层假设流体在芯片表面流速为零，则流体在层流区及芯片表面将有一个流速梯度存在，称为边界层（Boundary Layer
）20）
BPSG(boron-phosphor-silicate-glass)BPSG :
为硼磷硅玻璃，含有B,P
元素的SiO2 ,
加入B,P
可以降低Flow
温度，并且P
吸附一些杂质离子，流动性比较好，作为ILD
的平坦化介质。
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